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錫精礦中鉛砷銅鋅鉍雜質元素成分含量檢測儀

簡要描述:錫精礦中鉛砷銅鋅鉍雜質元素成分含量檢測儀
ICP-OES雖然是一種靈敏的分析技術,但在實際操作中可能會受到多種因素的影響,如樣品處理、儀器調整、背景干擾等。因此,在使用ICP-OES進行錫精礦成分分析時,需要仔細操作并注意這些因素對分析結果的影響。

  • 產品型號:
  • 廠商性質:生產廠家
  • 更新時間:2025-11-09
  • 訪  問  量:1555

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詳細介紹

錫精礦中鉛砷銅鋅鉍雜質元素成分含量檢測儀

錫精礦中鉛、砷、銅、鋅、鉍雜質元素成分含量檢測使用的是ICP-OES電感耦合等離子體發射光譜儀。這種儀器是一種靈敏的分析技術,能夠檢測出錫精礦中的多種金屬元素,并且具有高度的準確性和重現性。

ICP-OES的原理是利用電感耦合等離子體(ICP)產生的高溫等離子體中的激發態原子和離子發生躍遷,發出特定的譜線。因為每個元素具有不同的譜線,所以可以通過測量這些譜線來確定樣品中的元素。

ICP-OES在許多領域都有廣泛的應用,如環保、食品工業、化妝品、制藥、礦物質和材料科學等。在錫精礦分析中,它可以用于檢測其中的鉛、砷、銅、鋅、鉍等雜質元素的含量。通過使用這種儀器,可以準確地測定錫精礦中的這些元素成分,這對于研究新材料性質和開發新產品至關重要。

ICP 原子發射光譜儀技術參數

產品規格與技術指標

固態電源

工作頻率:27.12MHz
頻率穩定性:<0.05%
匹配方式:自動匹配
輸出功率:800W ~1600W,連續可調,電源效率大于65%
輸出功率穩定性:≤0.05%
輸出工作線圈內徑25mm、3匝,配三同心外徑20mm的石英炬管
同軸型噴霧器外徑6mm;雙筒型霧室外徑35mm

掃描分光器

光路:Czerny turner型
焦距:1000mm
光柵規格:離子刻蝕全息光柵,刻線密度3600L/mm或2400L/mm;刻劃面積(80×110)mm
分辨率:0.008nm(3600線光柵) ≤0.015nm(2400線光柵)
掃描波長范圍:3600線光柵:(190~500) nm;2400線光柵:(190~800) nm

電子測量及控制電路

光電倍增管規格:R293/R3896
光電倍增管負高壓:(-50~-1000)V
光電倍增管電流測量范圍:(10-1210-4A
信號采集:VF轉換

計算機系統

主機:聯想品牌電腦
顯示器:17英寸液晶顯示器
打印機:Canon噴墨打印機

整機技術指標

掃描波長范圍:190-460nm(4320L/mm光柵),190nm~500nm(3600L/mm光柵),190nm~800nm(2400L/mm光柵);

測量范圍

a.液體含量:0.01ppm-幾千ppm
b.固體含量:0.001%------70%
重復性:(即短期穩定度)相對標準偏差RSD≤1.5% ;
穩定性:相對標準偏差RSD≤2%;
測試速度:5-8元素/每分鐘

錫精礦中鉛砷銅鋅鉍雜質元素成分含量檢測儀

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